안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [127] 5575
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16857
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51344
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64190
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84166
611 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 472
610 Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] file 473
609 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] 479
608 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 485
607 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [1] 488
606 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 491
605 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 503
604 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 504
603 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 506
602 Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] 508
601 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 508
600 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 509
599 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 509
598 anode sheath 질문드립니다. [1] 509
597 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 519
596 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 521
595 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 530
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 540
593 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 544
592 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 546

Boards


XE Login