안녕하세요 교수님, ICP Dry etching을 활용한 High-k , Oxide semiconductor patterning 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


제가 사용하는 Dry etch chemistry는 CF4/Ar gas인데요, 이 때 반응성 이온으로 형성될수 있는 F+,CFx+ ion 그리고 non-reactive gas인 Ar의 역할들에 대해 질문을 여쭙고 싶습니다.


흔히 Ar ion의 경우 energetic bombardment라 하여 target 표면의 1.physical sputtering 및 2. bonding을 깨 radical과의 화학반응을 유도하며 3. 낮은 ionization energy로 인해 RIE 공정 시  plasma 안정화의 역할을 하는 것으로 알고 있습니다.


반면 Reactive ion 의 경우의 역할에 대해 혼란이 있는데요, 예를들어 CF4 gas의 경우 plasma에서 CFx+ 및 F+ ion이 형성되고

수많은 논문들에서는 이들 reactive ion 의 역할을 1.radical과 같은 표면반응으로 byproduct 형성 / 2. icp의 bias power의 영향을 받아 Ar ion 과 같은 bombardment 역할을 한다고 이야기하고 있습니다.


이부분에서 장비 및 공정의 조건 그리고 target물질에 따라, reactive ion(CF3+ CF2+,CF+,F+ etc..)들의 역할이 바뀔 수 있는 것인지요, 아님 복합적으로 화학반응 및 sputtering 역할이 동시에 일어나되, 공정조건에 따라 dominent한 역할이 달라지는 것인지... 궁금합니다.


정리하면 rie에서 reactive ion의 역할이 ion bombardment & sputtering, chemical reaction 둘다 맞는 말인지 여쭙고 싶습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 950
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49376
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59488
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74194
537 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 446
536 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 446
535 CVD 공정에서의 self bias [1] 449
534 플라즈마 장비를 사용한 실험이 가능할까요 ? [1] 450
533 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 454
532 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 454
531 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 477
530 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 478
529 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 483
528 Collisional mean free path 문의... [1] 489
527 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 491
526 ICP 후 변색 질문 493
525 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 499
524 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 505
523 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 511
522 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 525
521 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 525
520 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 527
519 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 529
518 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 532

Boards


XE Login