안녕하세요 박사님. 플라즈마 장비를 다루는 반도체 장비 회사에 다니는 연구원입니다.

항상 좋은 글 잘 보고 있습니다.

 

다름이 아니라 저희가 현재 유입하는 Gas의 유량을 조절하여 이것이 공정에 어떤 영향을 끼치는지 분석하고 있습니다.

 

저희가 펌프의 Valve를 고정해놓고 실험을 했기 때문에 유입시키는 Gas 양을 줄이면서 자연스럽게 Pressure 또한 줄어 들었는데,

이 때 Gas의 Residence Time 이 어떻게 변하는지 궁금합니다.

 

같은 양의 Gas라고 하더라도 Residence time에 따라 공정 결과 값이 바뀔 것 같은데 

이 Residence time은 어떻게 구할 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75022
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18864
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56341
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66858
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88327
619 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 604
618 Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] 609
617 Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] 611
616 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 632
615 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] 632
614 RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] 633
613 교수님 질문이 있습니다. [1] 637
612 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] 638
611 ICP 후 변색 질문 640
610 Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] 647
609 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 648
608 CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] file 649
607 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 656
606 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] 657
605 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 661
604 플라즈마 세정 장비 (CCP구조)에서 자재 로딩 수에 따른 플라즈마 효과 및 Discolor [1] file 661
603 Plasma Arching [1] 668
602 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] 669
601 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] 685
» 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 697

Boards


XE Login