Sheath CVD 공정에서의 self bias

2021.06.13 19:47

박관호 조회 수:523

안녕하세요 반도체 제조업에서 설비업무 맡고있는 저년차 사원입니다.

 

self bias 현상이 일어나게 되는 메커니즘을 3가지정도 배웠습니다.

1. RF 관점에서 순전류는 0이어야하기 때문에 더 크고 무거운 ion을 끌어오기 위해서 전극의 전위가 낮아지는 효과

2. 전극의 크기 차이로 인한 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

3. blocking capacitor에서의 전자의 축적으로 전극의 전위가 낮아지는 효과

 

실제로 CVD chamber 내 shower head보다 heater의 크기가 작고 blocking capacitor의 존재로 2번, 3번은 납득이 됩니다..

 

사내 semina에서 배우기로는 ETCH 설비와 다르게 CVD 설비는 shower head에 RF가 인가되고 heater쪽이 접지로 연결되어 있다고 했는데..

그렇다면 1번 효과에 의해 heater가 아니라 shower head쪽 전극이 음극역할을 하게 되는건가요???

(http://pal.snu.ac.kr/index.php?mid=board_qna_new&document_srl=81598 에서의 답변 참고했습니다)

 

만약 맞다면, 2번,3번 효과의 경우 heater쪽 전위가 낮아지게 되는걸로 보이는데, 1번에 의한 효과와 서로 경쟁하는건가요????

 

학부출신으로 회사와서 아는건 없고 궁금한건 많은데 얕게 배운 지식으로 업무와 연관지으려 하니 힘이드네요 교수님..

많이 배워가고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1603
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 2545
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49537
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59746
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 75861
543 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 463
542 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 475
541 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 482
540 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 483
539 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. [1] 484
538 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 488
537 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 491
536 ICP 후 변색 질문 496
535 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] 498
534 Collisional mean free path 문의... [1] 508
533 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 512
532 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 514
» CVD 공정에서의 self bias [1] 523
530 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 526
529 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 532
528 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 533
527 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 543
526 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 551
525 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] 552
524 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 554

Boards


XE Login