Etch Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법

2022.01.03 21:59

각식식건 조회 수:965

안녕하십니까, 항상 검색을 통해 다양한 정보를 얻을 수 있어 감사히 생각하고 있습니다.

 

ICP Etcher에서 Al (상하부 Ti) 식각할 때 Cl2+BCl3 베이스로 식각한 뒤

 

부산물인 AlCl3 또는 Cl 이온이 잔류한 상태로 대기에 노출되면 부식의 원인이 되기도 하고, 당장 부식이 생기지 않더라도 전기적 구동 평가시에 부식 또는 신뢰성 불량으로 이어질 수 있는 것으로 알고 있습니다.

 

따라서 저는 CF4, O2 플라즈마로 약 30~60초간 후처리하여 AlCl3를 AlF3로 치환하는 방식으로 이를 제어하고 있습니다.

 

1. 이처럼 잔류 이온을 컨트롤할 수 있는 또 다른 방법에는 어떤 것들이 있는지 궁금합니다.

(찾아보니 N2, H2O 플라즈마도 효과가 있다는데 N2는 어떤 원리인지 잘 모르겠네요.)

각종 연구실이나 기업 등에서는 어떤 방식으로 잔류 이온 제어(부식 방지)를 하고 있는지? 과거/최근 적용 사례나 연구 동향 등이 궁금합니다.

또는 새롭게 평가해볼만한 아이디어도 고민 중에 있습니다.

 

2. 단순히 최상부막 Metal에 남는 AlCl3 뿐만 아니라 하부막에 박히는 Cl 이온도 악영향이 있겠죠?

 

3. CF4 처리를 하더라도 AlF3나 하부막 F이온도 정도가 덜할 뿐 비슷한 side effect이 생길 것 같습니다. 애초에 잔류 Cl 이온을 줄이거나 완전히 제거할 수 있는 방법이 있을까요..?

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] 75017
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 18859
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56339
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 66840
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 88296
599 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 694
598 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 696
597 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 701
596 Collisional mean free path 문의... [1] 701
595 ICP lower power 와 RF bias [1] 701
594 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 712
593 CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] 713
592 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 718
591 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 719
590 RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] file 721
589 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 736
588 플라즈마 충격파 질문 [1] 739
587 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 742
586 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] 755
585 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] 764
584 RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] 765
583 문의 드립니다. [1] 776
582 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 783
581 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 789
580 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 792
쓰기
태그

Boards

XE Login