Others CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유
2004.06.19 16:48
질문 ::
일반적으로 CCP의 Vp(Plasma potential)는 수백에서 1000V가량 되는걸로 알고 있습니다. ICP의 Vp는 전반적으로 낮은 값을 갖는데요 저희 장비는 보통 20-30V정도 밖에 되지 않습니다. ICP의 장점중 하나가 바로 낮은 Vp값을 갖는다는것인데요. 이처럼 CCP의 Vp가 ICP에 비해 높은 이유가 뭔지 궁금합니다. 참고로 전 CCP의 간단한 구조와 원리밖에 모르고 있습니다. 저희 장비가 TCP인 관계로...
그럼 염치 불구하고 연이은 질문에 좋은 답변 기대하겠습니다.
항상 몸 건강하시길 빌겠습니다.
===========================================================================
ICP/CCP에서의 플라즈마 발생에 관한 설명 자료가 복원될 것 입니다. 이를 참고하시면 될 것입니다.
그때까지 다음 사항을 잘 고려해 보기 바랍니다. CCP의 전극은 플라즈마와 직접 만나고 있습니다.
혹은 두 전극 사이에 형성되는 전기장이 플라즈마를 만들고 있습니다. ICP의 경우는 안테나가
플라즈마와 직접 만나지 않고, 유도 전기장으로 플라즈마가 형성됩니다. 또한 플라즈마가 만들어지기
위해서는 breakdown voltage를 줄 수 있는 전기장이 어떤 방법으로든 형성되어야 할 것입니다. 이로
인해서 CCP는 ICP에 비해서 높은 공간 전위를 갖게 됩니다. 하지만 언급한 정도의 수백에서 수천 Volt의
플라즈마 전위를 갖지는 않습니다. ICP보다 제대로 만들어진 CCP 플라즈마의 경우는 ICP에 비해서 약간
높을 뿐입니다.
위 사항을 잘 참고하여 현상을 이해해 보기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76540 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
663 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 594 |
662 | 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] | 598 |
661 | 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] | 599 |
660 | 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] | 601 |
659 | 플라즈마 기본 사양 문의 [1] | 614 |
658 | 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] | 617 |
657 | RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] | 629 |
656 | Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] | 633 |
655 | Polymer Temp Etch [1] | 635 |
654 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 638 |
653 | analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] | 650 |
652 | RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] | 650 |
651 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 650 |
650 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 650 |
649 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 661 |
648 | 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] | 670 |
647 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 672 |
646 | 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] | 673 |
645 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 676 |
644 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 677 |