안녕하세요 반도체회사에서 CVD 공정에서 근무하고있는 사람입니다.


몇가지 질문이 있어 글을 올립니다.


1. 현재 CCP를 이용한 설비를 사용하고 있으며, RF/LF를 사용하고있는데 RF/LF의 역할에 대해 궁금합니다. RF는 전자에 거동에 영향을 주고 LF는 이온 거동에 영향을 준다고 간단하게만 알고있는데 이 내용이 맞는지요?


2. 현재 TEOS를 사용하여 CVD하고 있는 레시피 중 LF POWER가 낮은 레시피의 CVD 막질 두께의 UNIFOMITY가 LF POWER를 높게 쓰는 막질 두께의 UNIFORMITY보다 불량합니다. LF POWER가 낮은것이 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는 것 일까요?


3. HF POWER의 세기도 CVD 막질 THK의 UNIFORMITY의 영향을 주는지 알고싶습니다.


마지막으로 항상 좋은 답변 좋은 내용 올려주셔서 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [262] 76503
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20047
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57103
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68586
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91564
662 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 593
661 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 593
660 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 596
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 610
658 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
657 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 621
656 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 622
655 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 625
654 Polymer Temp Etch [1] 625
653 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 630
652 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 631
651 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 639
650 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 646
649 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 647
648 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 656
647 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 665
646 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 665
645 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 667
644 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 675
643 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 676

Boards


XE Login