안녕하세요.

저는 RF를 전공하고, 현재 RF 소자 시뮬레이션 관련 일을 하고 있는 강경석이라고 합니다.


기존에는 안테나나 필터와 같은 RF수동소자에 대해서 해석을 주로 진행하였습니다만, 반도체 공정 장비에 대한 해석업무를 하게 되었습니다. 

그래서 공정 장비에 RF 해석을 어떤 부분에서 접목 가능할까부터 시작하였고, 스터디 결과, 플라즈마를 이용한 ICP, CCP, Ion implantation에 접목 시킬 수 있겠다 라는 결론이 도출 된 상태입니다.

그래서 ICP, CCP, Ion implant 관련하여 스터디 하는 도중에 막히는 부분이 생겨서 이렇게 질문드립니다.


제가 공부한 바로는 플라즈마를 발생시킬 때 가스에 인가하는 에너지 타입에 따라서 ICP, CCP로 나뉜다고 이해 하였습니다.

그리고 Ion implant는 Ion을 주입하여서 반도체 wafer에 어떤 극성을 갖게 만드는 것이라고 이해하였구요,


여기서 질문은 그럼 ICP, CCP 장치에서 발생시킨 플라즈마를 가지고 Ion Implant 공정에 활용 하는 것인가요?

1. ICP. CCP에서 발생시킨 플라즈마에서 양이온만을 골라내서 Ion implant 공정에 활용하는것인지 궁금합니다.

2. 양이온만 골라내고, 나머지 전자는 어떻게 처리하는지 궁금합니다.


제가 전공이 이쪽이 아니라서, 질문이 너무 애매모호 합니다..ㅠ 질문도 많은것을 알고 있어야 정확하게 질문할 수 있는데, 제가 배경지식이 너무 부족하다보니 질문이 애매하네요, 바쁘시겠지만 답변 부탁드립니다.


감사합니다.

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