Etch 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량
2023.02.09 13:21
안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 설비엔지니어입니다.
텅스텐 DEPO 설비 유지보수 중에 RF Plasma를 통한 텅스텐 Cleaning에 문제점이 생겨 조언을 얻고자 질문드립니다.
텅스텐 Plasma Clean 조건
2100W Generator Power / C2F6 : O2 (1:1 비율) / 300mTorr Chamber Pressure / 13.56MHZ Matcher
Plasma Cleaning 진행 중 깜빡깜빡이는 현상이 확인되며 PM을 하고자 Chamer Open 했을 때
텅스텐이 Etching 되지 않고 Heater 및 Shower Head에 텅스텐이 그대로 남아있는 현상이 발생했습니다.
관련하여 챔버에 압력/Clean gas/RF 계통의 Part들을 교체해 보고 있으나 현상이 개선되지 않아
플라즈마 깜빡깜빡이는 현상이 Etching 효율을 떨어뜨리는 걸로 보이는데 문제점이 무엇일지 조언 받고싶습니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20175 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57166 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92275 |
785 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144469 |
784 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134445 |
783 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95627 |
782 | Plasma source type | 79650 |
781 | Silent Discharge | 64557 |
780 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54888 |
779 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47823 |
778 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43695 |
777 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41237 |
776 | 대기압 플라즈마 | 40706 |
775 | Ground에 대하여 | 39400 |
774 | RF frequency와 RF power 구분 | 39063 |
773 | Self Bias | 36382 |
772 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35906 |
771 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34956 |
770 | PEALD관련 질문 [1] | 32614 |
제 생각에는 W cleaning이 충분하지 않은 것 같습니다. 남아 있는 W 입자들 주변에 강한 전기장이 형성되고 이 주변에서 방전이 발생하면 플라즈마 전체에도 영향을 미칩니다. 따라서 현재 상태로 진행하는 공정은 관리가 어렵게 됩니다. 혹시 가능하다면, 장비사와 함께 cleaning 리시피 보강 방법을 찾아 보시기를 추천드립니다.