안녕하세요 고려대학교 가속기과학과 김지수 학생입니다.

 

ECR ion source를 연구중인데 ECR chamber에 GAS를 주입하고 RF를 인가중 플라즈마가 켜지게 되면

 

RF Reflect가 엄청 많아집니다. RF 주파수를 위아래로 조절해 보아도 Rflect가 기본 base line처럼 깔려서 낮아지질 않네요

 

Plasma상태에 따라서 RF reflect가 많이 달라질까요? 달라진다면 어떤 plasma 상태를 만들어야 될까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
224 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1072
223 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1063
222 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
221 고전압 방전 전기장 내 측정 [1] file 1058
220 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
219 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
218 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 1043
217 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
216 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 1039
215 플라즈마 코팅 [1] 1032
214 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1028
213 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026
212 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1025
211 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1024
210 Plasma Arching [1] 1024
209 Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] 1017
208 langmuir probe관련하여 질문드리고 싶습니다. [1] file 1009
207 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1007
206 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 1001
205 고진공 만드는방법. [1] 1001

Boards


XE Login