ESC dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐

2010.05.18 11:04

김기구너 조회 수:25155 추천:215

ESC 관련회사에 다니는 김기권입니다.
LCD 공정에서 각 단계별 과정을 거친 후 dechucking시 Glass가 ESC(Electrostatic Chuck)로부터 방전되지 못하고, 잔류되어 있는 극성을 띤 전하(Electric charge)들에 의해 Glass 와 ESC 사이에 인력이 발생하여  Glass broken  문제가 발생했습니다. ESC 는 6개월 정도 사용중이었고 고객사에서는 ESC 에 문제로 추정하고 있습니다. Glass broken 문제에 관하여 ESC 의 문제로만 볼수있는지... 아님 Etcher 장비에도 문제가 있을수 있는지 궁금합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4934
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16308
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51252
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63771
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83579
639 self bias (rf 전압 강하) 25917
638 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 25879
637 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25401
636 충돌단면적에 관하여 [2] 25390
» dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 25155
634 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24550
633 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24511
632 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24425
631 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24357
630 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24305
629 플라즈마가 불안정한대요.. 24296
628 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24218
627 플라즈마의 정의 24026
626 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 23946
625 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 23762
624 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23712
623 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23570
622 플라즈마 쉬스 23471
621 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23236
620 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23086

Boards


XE Login