안녕하세요. 전남대학교 정세훈이라고 합니다.
몇가지 궁금한점이 있어 질문드립니다

a)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 500 eV.

b)       the typical energy of sputtered Cu atoms if the Ar ion has an energy of 5000 eV

Cu원자의 에너지값이 어떻게되나요? 여러논문을 검색해보았는데
thompson distribution E/(E+Eb) 에 대해서는 나오는데.. 계산이 잘 안돼서요..
--------------------
위의 질문에 대한 참고 자료를 군산대학교 주정훈교수님께서 올려 주셨습니다. 그림과 같이 Kr 입자 조사에 의한 스퍼터링된 Cu의 에너지 및 이탈 속도 함수를 보여주고 있습니다. Ar과 조사 입자의 질량 차이가 있을 뿐 이를 고려한다면 거의 현상은 유사할 것으로 판단됩니다. 이 자료는 교재에 있다고 하니 참고하시기 바랍니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [129] 5616
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16915
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51352
» kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64226
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84310
652 self bias (rf 전압 강하) 26055
651 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 25934
650 충돌단면적에 관하여 [2] 25479
649 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25427
648 플라즈마의 정의 25302
647 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 25249
646 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24597
645 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24534
644 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24487
643 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24415
642 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24334
641 플라즈마가 불안정한대요.. 24321
640 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24255
639 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24051
638 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 23887
637 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 23764
636 plasma and sheath, 플라즈마 크기 23617
635 플라즈마 쉬스 23516
634 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 23419
633 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23296

Boards


XE Login