Etch 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다.
2023.06.16 16:51
안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.
다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.
주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다.
4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?
SiO2+4F->SiF4 (g) +2O
전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다.
답변 주시면 감사하겠습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] | 75746 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19430 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56656 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67983 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90185 |
57 | H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] | 395 |
56 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 390 |
55 | 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] | 390 |
54 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 389 |
53 |
plasma striation 관련 문의
[1] ![]() | 389 |
52 | 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] | 374 |
51 |
염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다.
[1] ![]() | 373 |
50 |
안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다.
[1] ![]() | 369 |
49 |
입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate
![]() | 363 |
48 | plasma modeling 관련 질문 [1] | 354 |
47 | AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 | 354 |
46 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 346 |
45 | Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] | 344 |
44 | Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 | 329 |
43 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 309 |
42 | PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] | 306 |
41 | ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] | 304 |
40 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 295 |
39 | 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] | 282 |
38 | RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] | 278 |
이미 반응식으로 부터 부산물 생성량을 추론해 볼 수 있을 것 같은데, 자신있게 해 보세요.
참고자료로는 Chap 15. section 3, "Principles of Plasma Discharges and Materials Processing" (M.A. Lieberman and A.J. Lichtenberg) 참고하면 좋습니다. 훌륭한 졸업 논문이 되겠군요.