안녕하세요 교수님
우선 늘 감사드립니다.
본 게시판을 통해 배운 내용을 통해 개선에 큰 도움이 되었습니다.

 

이번에 질문드리고자 하는내용은 'HE LEAK 에 의해 접촉저항이 어떻게 변할지' 입니다. 

 

ICP TYPE의 설비에서 HE LEAK이 발생하면 temp 상승이 일어나고, 항상 ESC current 가 상승하는 방향으로 변화합니다.(절댓값 상승 후 일정하게 유지) Chucking voltage 는 일정하게 유지되고 있으므로 Current 변화는 접촉저항과 관계가 있어 보이는데, 

여기서 이해가 안가는 부분은 He leak 이 있다면 왜 접촉저항이 낮아지는지 물리적으로 이해가 되지 않습니다.

접촉면적이 늘어난다는 것 일텐데, chucking force 가 강해지는 것 일까요? 

의견 여쭙습니다.

감사합니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [311] 79105
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21218
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58026
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69581
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94323
62 Cu migration 방지를 위한 스터디 [전자재료] [1] 313
61 대기압 플라즈마 문의드립니다 [플라즈마 전원 이해] [1] 310
60 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [Ar, O2 플라즈마 생성 특성] [1] 309
59 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정] [2] file 307
58 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 306
57 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [박막] [1] 289
56 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 268
55 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [대기압 환경 플라즈마와 라디컬 분포] [1] 264
54 Forward와 Reflect가 계속해서 걸립니다. [RF generator] [2] file 262
53 ICP Plasma etch chamber 구조가 궁금합니다. [플라즈마 생성 공간과 플라즈마 확산] [1] 258
52 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 258
51 Microwave & RF Plasma [플라즈마 주파수와 rate constant] [1] 256
50 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 255
49 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 250
48 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 246
47 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 245
46 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 243
45 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 242
44 Sputtering을 이용한 film deposition [진공 및 오염입자의 최소화] [1] 240
» HE LEAK 과 접촉저항사이 관계 [국부 방전과 chucking] [1] 230

Boards


XE Login