Others 활성이온 측정 방법
2017.11.07 15:04
안녕하세요
배가스 제거 기술 개발을 하고 있는 직장인 이성수라고 합니다.
플라즈마 관련 문의 사항이 있어서 연락을 드립니다.
오존을 이용하여 gas를 분해하는 기술에 대해서 알아보고 있는데요
오존이 아닌 플라즈마 이온이 gas를 분해하는데 더 강한 산화제로 작용울 할수 있는것 같습니다.
그래서 오존발생기(플라즈마방식)에서 오존 외에 활성이온량을 측정할수 있는 방법을 찾고 있습니다.
활성이온량을 측정할수 있는 방법이 있는지요?
그리고 플라즈마 밀도를 측정하기 위해서 EOS 를 사용하는 것으로 알고 있는데요
플라즈마 밀도와 활성이온량의 의미는 같은것인지요?
현재 활성이온 측정 방법을 알수 없어서 개선방법을 못찾고 있습니다.
교수님의 고견 부탁 드립니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76664 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20149 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57149 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68669 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92157 |
| 727 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24317 |
| 726 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24299 |
| 725 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24170 |
| 724 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24120 |
| 723 | self Bias voltage | 24026 |
| 722 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23969 |
| 721 | 플라즈마 쉬스 | 23932 |
| 720 | Arcing | 23785 |
| 719 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23754 |
| 718 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23436 |
| 717 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23377 |
| 716 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23328 |
| 715 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23259 |
| 714 | DC glow discharge | 23242 |
| 713 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23118 |
| 712 | No. of antenna coil turns for ICP | 23090 |
| 711 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23053 |
| 710 | CCP/ICP , E/H mode | 22961 |
| 709 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22938 |
| 708 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22848 |
관련 연구는 기계 연구소의 송영훈박사 팀에서 아주 오랫동안, 매우 열심히 연구를 하고 있는 분야입니다. 따라서 기계 연구소 송영훈 박사 팀을 소개합니다. https://www.kimm.re.kr/eco04 (한국기계연구원/환경시스템연구본부/플라즈마연구실)에 방문을 추천합니다.