Others CCP의 Vp가 ICP의 Vp보다 높은 이유
2004.06.19 16:48
질문 ::
일반적으로 CCP의 Vp(Plasma potential)는 수백에서 1000V가량 되는걸로 알고 있습니다. ICP의 Vp는 전반적으로 낮은 값을 갖는데요 저희 장비는 보통 20-30V정도 밖에 되지 않습니다. ICP의 장점중 하나가 바로 낮은 Vp값을 갖는다는것인데요. 이처럼 CCP의 Vp가 ICP에 비해 높은 이유가 뭔지 궁금합니다. 참고로 전 CCP의 간단한 구조와 원리밖에 모르고 있습니다. 저희 장비가 TCP인 관계로...
그럼 염치 불구하고 연이은 질문에 좋은 답변 기대하겠습니다.
항상 몸 건강하시길 빌겠습니다.
===========================================================================
ICP/CCP에서의 플라즈마 발생에 관한 설명 자료가 복원될 것 입니다. 이를 참고하시면 될 것입니다.
그때까지 다음 사항을 잘 고려해 보기 바랍니다. CCP의 전극은 플라즈마와 직접 만나고 있습니다.
혹은 두 전극 사이에 형성되는 전기장이 플라즈마를 만들고 있습니다. ICP의 경우는 안테나가
플라즈마와 직접 만나지 않고, 유도 전기장으로 플라즈마가 형성됩니다. 또한 플라즈마가 만들어지기
위해서는 breakdown voltage를 줄 수 있는 전기장이 어떤 방법으로든 형성되어야 할 것입니다. 이로
인해서 CCP는 ICP에 비해서 높은 공간 전위를 갖게 됩니다. 하지만 언급한 정도의 수백에서 수천 Volt의
플라즈마 전위를 갖지는 않습니다. ICP보다 제대로 만들어진 CCP 플라즈마의 경우는 ICP에 비해서 약간
높을 뿐입니다.
위 사항을 잘 참고하여 현상을 이해해 보기 바랍니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76683 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57156 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68676 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92193 |
687 | ccp-icp | 21467 |
686 | 47th American Vacuum Society International Symposium 2000 | 21425 |
685 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21381 |
684 | Breakdown에 대해 | 21357 |
683 | 플라즈마 실험 | 21344 |
682 | 플라즈마 측정기 [1] | 21331 |
681 | 저온 플라즈마에서 이온, 전자, 중성자 온도의 비평형이 생기는 이유에 대해서... [1] | 21329 |
680 | Xe 기체를 사용한 플라즈마 응용 | 21313 |
679 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 21185 |
678 | 전자파 누설에 관해서 질문드립니다. [1] | 21109 |
677 | 플라즈마란? | 21054 |
676 | 대기압플라즈마 진단 | 21024 |
675 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20958 |
674 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20900 |
673 | plasma cleanning에 관하여.... | 20831 |
672 | IEDF EQP에 대한 답변 | 20804 |
671 | 이온주입량에 대한 문의 | 20729 |
670 | 교재구입 | 20724 |
669 | Three body collision process | 20648 |
668 | Lissajous figure에 대하여.. | 20614 |