Ion/Electron Temperature 전자온도에 대하여 궁금한 사항이 있습니다.
2009.06.25 00:50
안녕하세요
플라즈마를 공부하는 대학원생입니다.
질문내용은 플라즈마내 전자온도의 의미입니다. 높고낮다는건 에너지가 높고 낮음을 얘기 할수도 있다고 하는데요.
높으면 에너지가 상대적으로 커서 다른 particle에 에너지를 많이 줄수 잇다는 의미인가요? 이 맥락은 플라즈마내 heating이론과 연관되어 있는것 같은데 EEDF와도 연관이 있는데 도무지 연결을 어떻게 해서 이해를 해야하는지요
또한 ICP에선 공정압력증가시 전자온도가 감소하는 이유는 무엇인지요 ..그리고 파워증가시에도 점차 감소하는 경향은
어떻게 설명해야하는지요.. 파워증가시 밀도도 당연히 증가하는데 이러한 상태에서 전자온도가 1-2eV로 작은경우
etch공정시의 어떤장점(미세패턴의 식각)에 유리하다고 하는데 그이유는 무엇인지요..
답변 부탁드립니다..
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76668 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20149 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57149 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68669 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92158 |
| 93 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1233 |
| 92 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1223 |
| 91 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1154 |
| 90 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1142 |
| 89 | 자기 거울에 관하여 | 1136 |
| 88 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1129 |
| 87 | wafer bias [1] | 1126 |
| 86 |
전자 온도 구하기
[1]  | 1122 |
| 85 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1113 |
| 84 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1110 |
| 83 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] | 1070 |
| 82 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1046 |
| 81 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 1035 |
| 80 | 플라즈마 코팅 [1] | 1035 |
| 79 | 진학으로 고민이 있습니다. [2] | 1029 |
| 78 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1011 |
| 77 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 992 |
| 76 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 965 |
| 75 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 961 |
| 74 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 956 |