안녕하세요. 플라즈마 장비를 다루면서 당연시 생각했던건데 이유를 생각해보면 

막상 안떠오를때가 있습니다. 그래서 몇가지 질문드리려고요.

1.같은 메이커 같은 모델의  장비를 쓸때에도 depo rate, etch rate가 제각기 다른데

이런이유를 어떻게 설명해야될까요..

2.하루종일 장비를 안쓰면 etch rate가 달라지는데 leak가 있어서 진공이 달라진것도

아닌데 왜 이런현상이 일어날까요? 이런 현상때문에 일부러 dummy wafer를 칠때가

있습니다.

3.chamber를 open한 직후와 많이 양산이 돌아간 상태에서 마찬가지로 rate가 달라지는데

이유가 있을까요?

4.chamber 벽 표면의 물질이 달라지면 플라즈마의 특성, 쉬스 이런것들이 달라지나요?

(Sputter 장비에서 shield의 부산물 포획특성을 위해 coating의 물질을 바꾸는 경우가 있어

문의드립니다)

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76543
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20078
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57116
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68615
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91697
92 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1216
91 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1211
90 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1145
89 Group Delay 문의드립니다. [1] 1135
88 자기 거울에 관하여 1130
87 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1124
86 wafer bias [1] 1119
85 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1101
84 전자 온도 구하기 [1] file 1099
83 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1062
82 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1054
81 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1040
80 플라즈마 코팅 [1] 1032
79 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1028
78 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1025
77 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 999
76 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 982
75 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 959
74 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 952
73 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] 949

Boards


XE Login