안녕하세요 교수님. 언제나 성심성의것 답변해주셔서 공부를 하는데 큰 도움을 받고 있습니다.

 

저는 ICP, CCP 모두 다루는 반도체 장비 회사에 다니고 있는 엔지니어 입니다.

 

관찰해보면 CCP 장비에서 Arcing 문제가 더 많이 발생하고 있습니다.

 

 

어떤 이유 때문에 ICP보다 CCP 구조에서 Arcing이 더 많이 발생하는 걸까요?

 

전극 사이의 거리가 가까워서 그런건가요?

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76677
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57150
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68670
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92179
98 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4468
97 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4003
96 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3677
» CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3521
94 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3399
93 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3321
92 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 2755
91 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2684
90 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2632
89 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2466
88 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2370
87 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2307
86 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2307
85 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2304
84 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2262
83 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2226
82 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 1988
81 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1941
80 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1935
79 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1910

Boards


XE Login