Remote Plasma PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활
2023.03.02 15:45
기초적인 질문인데요
PECVD 장비에서 Cleaning을 할때 보통 Remote plasma NF3 + Ar Gas를 사용하는데요
Ar Gas의 정확한 역할을 알고 싶습니다.
Purge나 Carrier 용도라면 N2나 O2도 사용가능한데 굳이 Ar을 사용하는 다른 목적이 있는건지 궁금합니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67558 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
| 145 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94485 |
| 144 | Plasma source type | 78863 |
| 143 | Silent Discharge | 64512 |
| 142 | 대기압 플라즈마 | 40369 |
| 141 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 31570 |
| 140 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28746 |
| 139 | DBD란 | 27405 |
| 138 | PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] | 24873 |
| 137 | 플라즈마가 불안정한대요.. | 24436 |
| 136 | ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [1] | 24091 |
| 135 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 23595 |
| 134 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23181 |
| 133 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23157 |
| 132 | No. of antenna coil turns for ICP | 22966 |
| 131 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 22869 |
| 130 | CCP/ICP , E/H mode | 22584 |
| 129 | 플라즈마의 발생과 ICP | 21939 |
| 128 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21586 |
| 127 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21477 |
| 126 | 상압 플라즈마 관련 문의입니다. [1] | 21444 |
Ar 플라즈마를 공부해 보시면 좋을 것 같습니다. sputter 용으로 쓰이기도 하는데, 이는 mass 관점입니다. 다른 하나는 불활성 특성이고, 이는 표면 화학 반응에 자유롭다는 특징입니다. 다만 Ar* 의 에너지 전달은 고려해야 할 사항입니다. 마지막으로 플라즈마 관점에서는 Ar*+e (낮은 에너지 전자) --> Ar+ = 2e 로 metastable Ar 이 Ar+ 보다 많이 생성되고 이들은 낮은 에너지에서 이온화가 된어서, 플라즈마 생성과 유지를 수월하게 해 준다는 특성을 가지고 있습니다. 따라서 Ar은 플라즈마 생성, 유지 및 관리 차원에서 많이 사용하게 됩니다. 미세한 표면 화학 반응을 고려할 떄는 여기서 생성되는 metastable Ar*의 거동도 중요한 인자로 관리되고 있음도 참고하시기 바랍니다.
관련해서 메타 스테이블 (준안정상턔) 및 Ar 플라즈마의 광신호 발생 등에 대해 같이 공부해 보시기를 추천합니다.