안녕하세요.

반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.

SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.

몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.

다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.

1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?

2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?

3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?


작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77858
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20762
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57682
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69187
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93512
107 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4750
106 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4149
105 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3945
104 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3649
103 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3499
102 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3361
101 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3198
100 수소 플라즈마 관련해서 질문이 있습니다. [3] 2771
99 플라즈마 밀도 관련 문의 드립니다. [1] 2718
98 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2524
97 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2489
96 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2468
95 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2455
94 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2407
93 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2372
92 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 2369
» RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 2119
90 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 2047
89 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 2037
88 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 2022

Boards


XE Login