안녕하십니까, 저는 반도체. 디스플레이 TFT 연구를 하는 석사과정 학생 조현철이라고합니다.

Top gate의 transistor를 만드는 과정에서, 궁금증이 생겨서 글을 남깁니다!

제가 식각해야하는 물질은 HfO2 과  IGZO 산화물 반도체인데,(최적 선택비, 에칭조건 확인)

물질의 Bonding energy (Hf-O 800kJ/mol , IGZO 각각의 본딩에너지는 500kJ/mol 이하 ) 이고

gas로는 CF4/Ar  혼합가스를 썼습니다. (반도체공동연구소 oxford ICP Etcher) 같은 공정 조건에서 식각을 진행했을때 오히려  식각률이 훨씬 높았던 것은 HfO2 였습니다.

저는 두 물질 모두 Chemical 한 반응보다는 Physical 한 에칭 (sputtering, ion bombardment) 가 dominent한 에칭이 될것이라 생각하였고  HfO2와 IGZO 물질의 bonding energy를 비교해봤을때 HfO2보다 IGZO가 훨씬 높은 식각률을 보일것이라는 생각을 가졌는데요,


반대의 실험결과가 나온 이유가 궁금해서... 질문을 남깁니다.

1. Plasma etching 진행시 bias power의 크기에 따른 Ion의 운동에너지 외의 physical 에칭에 영향을 미치는 요소가 있을까요?.


2. Source Power / Bias Power 를  250W / 100W  셋팅했을시 Bias Power쪽 reflected power가 높게 뜨는 현상을 확인했습니다.

   소자과 학생이라 자세하게 알지는 못하지만 matching이 제대로 되지않아서 생기는 현상이며, plasma가 잘 생기지 않는 조건에서 발생한다고 이해하였는데요, 이를 해결하기위해  (Gas flow rate 증가, Source Power 증가, 챔버내 압력 증가) 즉, 플라즈마가 잘 발생할 수 있는 조건에서 공정을 다시 진행해보면 될지 궁금합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] 1200
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 950
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49376
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59488
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 74194
44 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 936
43 RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] 935
» 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 920
41 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 911
40 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 871
39 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 836
38 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 774
37 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 758
36 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 750
35 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ 687
34 Plasma Generator 관련해서요. [1] 653
33 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 651
32 ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] 649
31 공정플라즈마 [1] 647
30 PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] 640
29 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 602
28 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] 580
27 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] 567
26 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] 535
25 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 532

Boards


XE Login