self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73034 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17618 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55517 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65699 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86031 |
34 | Self Bias | 36203 |
33 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27062 |
32 | self bias (rf 전압 강하) | 26255 |
31 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23688 |
30 | 플라즈마 쉬스 | 23609 |
29 | self Bias voltage | 23300 |
28 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22488 |
27 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 21111 |
26 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20636 |
25 | 이온주입량에 대한 문의 | 20584 |
» | self bias [1] | 19166 |
23 | ICP에 대하여 | 18079 |
22 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12267 |
21 | DC bias (Self bias) [3] | 10501 |
20 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 9200 |
19 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8608 |
18 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8575 |
17 | Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] | 4208 |
16 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 2468 |
15 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 2279 |