ICP ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해]

2024.02.29 14:09

김준서 조회 수:3268

안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.

ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요? 

 

추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 113101
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 28527
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 65776
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 77607
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 112138
33 ICP 플라즈마에 관해서 [2] 32879
32 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 25049
31 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24745
30 No. of antenna coil turns for ICP [안테나 turn 수와 플라즈마 발생 효율] 23447
29 플라즈마의 발생과 ICP 22432
28 ccp-icp 22168
27 glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 22024
26 F/S (Faraday Shield) file 21980
25 ICP TORCH의 냉각방법 [냉각수와 와류] 16090
24 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [Plasma source와 loss] [3] 4723
» ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 3268
22 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [Step ionization, Dissociative ionization] [1] 3206
21 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 3098
20 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2866
19 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [Self bias 및 ICP E/H mode] [2] 2797
18 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [N2 플라즈마] [1] 2581
17 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [Plasma density와 Balance equation] [1] 2578
16 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [전기장 내 입자 거동] [2] 2217
15 ICP reflecot power [Insulator와 rf leak] [1] 2210
14 ICP lower power 와 RF bias [Self bias, Floating sheath] [1] 2200
쓰기
태그

Boards

XE Login