질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:91552 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [262] 76503
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20045
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57103
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68585
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91552
23 esc란? 28049
22 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26105
21 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22925
20 Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] 22222
19 [질문] 석영 parts로인한 특성 이상 [1] 19827
18 ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. file 16888
17 ESC Dechuck과 관련하여 궁금한점이 있어 문의를 드립니다. [1] 14658
16 Bipolar, J-R Type Electrostatic Chuck 에서의 Discharge 원리가 궁금합니다. 8525
15 정전척 isolation 문의 입니다. [1] 7578
14 플라즈마 건식식각 장비 부품 정전척 공정 진행 후 외각 He-hole 부위 burning 현상 매카니즘 문의.. [1] 6445
13 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5439
12 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4288
11 ESC Cooling gas 관련 [1] 3500
10 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3324
9 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2792
8 Si Wafer Broken [2] 2459
7 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1930
6 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1858
5 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1577
4 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1372

Boards


XE Login