Etch 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
2016.07.11 17:15
안녕하세요.
지난 서울대에서 기술교류회에 참석했던 성균관대학교 학생 중 한명인 가두현 이라고 합니다.
이제 막 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 대학원생인데요.
etching시 Trench와 via를 어떻게 구분을 하는건지 궁금해서 글을 남깁니다.
trench와 via를 BEOL과 FEOL에서 따로 구분을 하는건지 헷갈리네요.
이상입니다. 수고하세요~
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
143 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17707 |
» | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17333 |
141 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17190 |
140 | 플라즈마 처리 | 16924 |
139 | ICP 식각에 대하여... | 16904 |
138 | sputter | 16840 |
137 | nodule의 형성원인 | 16743 |
136 | 몇가지 질문있습니다 | 16577 |
135 | Sputter | 15866 |
134 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15789 |
133 | PMMA(폴리메틸메타크릴레이트)의 표면개질에 관해 [1] | 15638 |
132 | 박막 형성 | 15296 |
131 | 산업용 플라즈마 내에서 particle의 형성 | 15052 |
130 | 플라즈마 절단기에서 발생 플라즈마 | 14730 |
129 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12431 |
128 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11292 |
127 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10280 |
126 | 에칭후 particle에서 발생하는 현상 | 9496 |
125 | 공기정화기, 표면개질, PDP. 플라즈마응용 | 9259 |
124 | Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] | 8558 |