Sputtering UBM 스퍼터링 장비로...
2010.06.01 23:11
안녕 하십니까. UBM장비로 SUS 시편 두께에 따라 박막 두께도 달라지는지.. 달라지면 어떻게 달라지는지 Ti로 코팅하고 있는데 챔버를 열었을시 상온 과 챔버내 온도 차로 인하여 생기는 문제점들과 BIAS-DC ARC 장비로 챔버내에 하드 아킹이 일어나는 원인이 어떤것들이 있는지 알고 싶습니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73073 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17639 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55521 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65721 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86086 |
| 156 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43202 |
| 155 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34694 |
| 154 | RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. | 31201 |
| 153 | DC Bias Vs Self bias [5] | 30865 |
| 152 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
 | 29380 |
| 151 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29289 |
| 150 | RF에 대하여... | 28836 |
| 149 | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 28474 |
| 148 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24539 |
| 147 | H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] | 24330 |
| 146 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 23839 |
| 145 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23388 |
| 144 | Arcing | 23245 |
| 143 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22380 |
| 142 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22343 |
| 141 | PEALD관련 질문 [1] | 22132 |
| 140 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 21973 |
| 139 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21774 |
| 138 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21263 |
| » | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20753 |