안녕하세요.

CVD 공정 엔지니어로 근무 중인데, 전공과 무관한 업무를 하다보니 막히는 경우가 많은데 교수님께 많은 도움을 받고 있습니다. 감사합니다.

다름이 아니라 SiO2 박막 Depo 후, F 입자를 이용하여 Clean을 진행하는데 박막 밀도가 높을 수록 Clean의 효율이 감소하는 결과를 확인했습니다.

제가 추정하는 이유는 두 가지 인데, 제가 추정하는 이유가 맞는지 교수님의 전문적인 견해가 궁금하여 글을 작성합니다..

 

 1) 막질 밀도가 낮을 수록 막질이 phorous하여 빈 공간으로 Radical이 침투하기 용이하여 반응성 증가

 2) 막질 밀도가 낮을 수록 같은 두께의 박막 내 SiO2 분자수가 적기 때문에 제거해야 할 SiO2 분자수가 적어 Clean 효율 증가

 

항상 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76728
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20190
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68699
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92278
182 플라즈마내에서의 아킹 43696
181 ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] 34956
180 PEALD관련 질문 [1] 32614
179 RF에 대하여... 32008
178 RF Plasma(PECVD) 관련 질문드립니다. 31666
177 DC Bias Vs Self bias [5] 31537
176 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. file 30003
175 PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 29736
174 [Sputter Forward,Reflect Power] [1] 29263
173 OLED에서 SF6와 CF4를 사용하는 이유를 알고 싶습니다. [1] 28722
172 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24874
171 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24645
170 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24173
169 Arcing 23803
168 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23758
167 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22764
166 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22540
165 질문있습니다 교수님 [1] 22115
164 플라즈마 코팅에 관하여 22091
163 펄스바이어스 스퍼터링 답변 21944

Boards


XE Login