안녕하세요.

해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.


RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.

저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.

학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.

논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.

그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76540
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
122 고온 플라즈마 관련 8090
121 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8022
120 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
119 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
118 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6483
117 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6386
116 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6359
115 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6201
114 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
113 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5734
112 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5423
111 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5184
110 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4243
109 플라즈마 색 관찰 [1] 4193
108 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4122
107 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
106 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
105 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3762
104 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3624
103 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3491

Boards


XE Login