Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5420

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
122 고온 플라즈마 관련 8090
121 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 8022
120 플라즈마 쪽에 관심이 많은 고등학생입니다. [1] 7695
119 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6569
118 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6483
117 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6381
116 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6359
115 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
114 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
113 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5733
» DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5420
111 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5183
110 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4241
109 플라즈마 색 관찰 [1] 4191
108 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4121
107 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3949
106 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3857
105 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3761
104 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3623
103 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3490

Boards


XE Login