Deposition PECVD 증착에서 etching 관계

2019.03.20 09:00

음월 조회 수:1497

안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.


다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로


많은 고뇌를 하고 있습니다.


SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.


원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.

(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)


쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,


혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.


이상입니다.

감사합니다.

, , , 이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20175
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
102 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3271
101 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
100 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
99 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2967
98 Plasma etcher particle 원인 [1] 2964
97 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2891
96 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
95 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2742
94 PR wafer seasoning [1] 2701
93 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2631
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2581
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2451
90 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2360
89 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
88 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2313
87 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2313
86 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2305
85 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2260
84 etching에 관한 질문입니다. [1] 2259
83 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2049
쓰기
태그

Boards

XE Login