Etch RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도

2004.07.02 11:15

권호철 조회 수:20406 추천:247

================================<질문>=======================================

저는 생산 LINE에서 DRY ETCHER를 관리하는 설비 ENG'R
  입니다
    NORMAL  BOTTOM(전극):50  TOP(SHOWER HEAD):50  
  WALL:50을 사용 하고 있는데 생산 LINE이다 보니 생산량이 많아
  BYPRODUCT(POLYMER)가 TOP및 WALL 부분에 상당히 많이
  DEPO가 되어 문제가 되고 있읍니다
  경험치로는 온도를 올리면(75도 검토) DEPO 되는 POLYMER
  양을 줄일수 있을것 같은데 온도UP에 따른 플라즈마 밀도가 얼마나
  변할지 몰라 움직이지 못하고 있읍니다  
  POWER가 걸리는 BOTTOM은 현50도를 유지하고 TOP과 BOTTOM
  의 온도를 UP시킬때 플라즈마 밀도에 많은 영향을 미치는지
  알려 주시고,폴리머는 왜 온도가 낮은 부위에 집중적으로 DEPO
  되는지 이론적으로 알고 계시면 답변 부탁 드립니다.
  
================================<답변1>=======================================
polymer는 P.R ,Etching products,Etching gas등에 의하여
발생됩니다.그런데 그러한 polymer가 온도에 따른 영향을 나타내는것은 우리가 수증기의 물방울이 맺하는 원리와 동일하게 생각하면됩니다.
겨울철에 유리창에 물방울이 맺히는 경우를 종종 보게될겁니다.
이와 마찬가지로 벽부나하부전극의 온도가 낮으면 Polymer들이
Pumping되지 못하고 흡착하게 됩니다.그래서 Polymer가 흡착이
덜되게 하기위해서는 온도를 올리는것입니다.그런데 온도를 무한정 올릴수는 없고,Etching 진행시에 발생되는 substrate의 heat-up에 의하여
P.R Buring 현상이 발생 할 수있으니 이러한 문제가 발생하지 않을정도면 될것으로 보입니다.그리고 교수님 말씀처럼 Plasma에 주는 영향은
거의 없을 것으로 보입니다.

================================<답변2>=======================================
참 어려운 질문입니다. 질문자의 성함을 모르니 더욱 힘듧니다.

반응기 벽의 온도와 반응기 내의 플라즈마와의 상관 관계를 물었습니다. 원칙적으로는 반응기 벽의 온도와 플라즈마와는 별개입니다. 하지만
종종 반응기 벽의 온도에 따라서 플라즈마 가 변하는 것과 같은
현상이 발생하곤 합니다. 제가 생각하기로는 이는 반응기 벽의 온도가
플라즈마를 변화시킬 만큼 올라가기가 실제 상황에서 힘들다는 생각입니다.
오히려 질문과 같이 depo등에는 많은 영향을 미칠 수 있으며 반응기 벽에
depo될 물질들이 반응기 공간내에 보다 많이 존재함으로 플라즈마의
특성을 간접적으로 바꾸지 않나 생각됩니다. 만을 반응기 벽의 온도가
매우 높아 열전자 등이 발생한다면 이는 플라즈마 특성에 영향을 주게
될 것 입니다. 그렇지 않다면 반응기 표면의 화학적인 활성에너지를
높이는 역할을 함으로써 반응기 벽에서의 래디컬의 화학 반응이 오히려
더 큰 영향을 받게 될 것입니다. 원론적으로 이는 플라즈마와는 무관하다고 생각해야 합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [262] 76503
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20045
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57103
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68585
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91545
67 DC Bias Vs Self bias [5] 31465
66 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24144
65 N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] 23711
64 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22730
63 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22529
» RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 20406
61 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 17290
60 ICP 식각에 대하여... 16900
59 ICP와 CCP의 차이 [3] 12416
58 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9485
57 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6306
56 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6182
55 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5708
54 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5408
53 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5146
52 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4232
51 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3945
50 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3484
49 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2919
48 Plasma etcher particle 원인 [1] 2905

Boards


XE Login