안녕하십니까 RF Power 공급 업체에 다니고 있는 직장인 입니다.

한가지 궁금한 점이 있어서 질문 올립니다.

현재 장비사에서 다른 Power 업체에서 사용하던 것을 저희 업체로 변경 하여 사용했는데

공정 결과 ER이 20% 낮게 나왔다고 합니다.

공정 시 같은 Power, 같은 ICP설비 안테나로 진행 하였으며 RF Matcher와 RF Generator의 Maker만 바뀐 상황입니다.

이와 관련하여 혹시 Matcher가 ER을 낮게 할 수 있는 원인이 될 수 있는지 여부가 궁금합니다.

혹시 관련된 자료 있으면 링크좀 부탁드리겠습니다.

감사합니다.
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [112] 4887
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16225
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63745
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83512
30 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2049
29 Plasma etcher particle 원인 [1] 2026
28 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1775
27 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1609
26 터보펌프 에러관련 [1] 1467
25 etching에 관한 질문입니다. [1] 1453
24 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1406
23 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1399
22 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1228
21 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1220
20 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1214
19 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1080
18 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 1003
17 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 999
16 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 935
» Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 820
14 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 800
13 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 798
12 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 745
11 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 632

Boards


XE Login