Etch doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구]

2022.02.22 19:14

우화리 조회 수:2826

안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [336] 108093
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 26433
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 63591
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 75262
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 108785
56 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 4001
55 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3841
54 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3705
53 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 3284
52 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 3282
51 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 3252
50 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 3160
49 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2981
48 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2967
47 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2864
» doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2826
45 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2795
44 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2761
43 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2675
42 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2632
41 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2329
40 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2128
39 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2099
38 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1886
37 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1885
쓰기
태그

Boards

XE Login