Etch doping type에 따른 ER 차이

2022.02.22 19:14

우화리 조회 수:2050

안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20181
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
47 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2873
46 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2742
45 PR wafer seasoning [1] 2701
44 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2633
43 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2452
42 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2325
41 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2315
40 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2261
39 etching에 관한 질문입니다. [1] 2259
» doping type에 따른 ER 차이 [1] 2050
37 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2009
36 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 1982
35 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1934
34 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1793
33 터보펌프 에러관련 [1] 1756
32 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1408
31 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1376
30 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1308
29 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
28 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183
쓰기
태그

Boards

XE Login