Others O2 플라즈마 클리닝 관련 질문
2018.04.07 12:33
안녕하세요.
대학원에서 실험을 하고 있는 대학원생입니다.
현재 Ge, Si wafer와 같은 여러가지 기판에 증착된 300nm Ni film을 thermal release tape를 이용하여 떼어낸 뒤, Si/SiO2 기판으로 전사하여 가열해 줌으로써 thermal tape를 제거하는 작업을 하고 있습니다.
tape를 제거한 뒤에 Ni 표면에 tape 잔여물들이 많이 남아 있어서 O2 플라즈마로 잔여물을 제거하려 하고 있는데요.
이상하게도, 전사 과정에서 Si/SiO2 기판에 묻어있던 tape 잔여물들은 1시간 이내에 완전히 제거가 되는데 Ni 표면에 있는 tape 잔여물들은 같은 조건에서 4시간 이상까지 플라즈마 처리를 하여도 잔여물이 전혀 줄어들지를 않습니다.
원인과 해결 방법을 알 수 있을까요??
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
780 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144256 |
779 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134433 |
778 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95470 |
777 | Plasma source type | 79617 |
776 | Silent Discharge | 64555 |
775 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54778 |
774 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47761 |
773 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43678 |
772 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41190 |
771 | 대기압 플라즈마 | 40674 |
770 | Ground에 대하여 | 39310 |
769 | RF frequency와 RF power 구분 | 39045 |
768 | Self Bias | 36376 |
767 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35819 |
766 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34920 |
765 | PEALD관련 질문 [1] | 32597 |
경험이 없고 성분을 모르니 일단 솔류션은 얻기가 힘들 것 같고, 다만 저 같으면 Ar/He 등의 physical sputtering 효과를 약하게 라도 추가해 보겠습니다. 이온 뿐만아니라 He*/Ar* 도 세정에 기여할 수 있을 것 같기 때문입니다.