Deposition PECVD 증착에서 etching 관계
2019.03.20 09:00
안녕하십니까? 현재 CVD 장비 회사에 재직중입니다.
다름이 아니라 PECVD 를 이용한 SiNx 증착 test 중, 두께가 쌓을수록 굴절률이 낮아지는 현상으로
많은 고뇌를 하고 있습니다.
SiNx 증착에 사용되는 GAS 는 SiH4, Ar, H2, NH3, N2 총 5가지 입니다.
원하는 시간에 target 두께의 막은 얻지만, 굴절률이 점점 감소합니다.
(plasma 노출시간에 길어지면 길어질수록 굴절률이 더더욱 감소합니다.)
쌓일수록 ETCHING 으로인해 박막이 porous 해질 수 있는지,
혹은 특별한 경우가 있는지 여쭙고자 질문드립니다.
이상입니다.
감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20181 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68697 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
589 | 플라즈마 온도중 Tr의 의미 | 17801 |
588 | 교육 기관 문의 | 17781 |
587 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17778 |
586 | 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. | 17750 |
585 | 충돌 | 17701 |
584 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17695 |
583 | Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. | 17672 |
582 | 플라즈마와 자기장의 상호작용 | 17626 |
581 | 불꽃이 쫒아오는 이유 | 17621 |
580 | 유전체 플라즈마 | 17556 |
579 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17510 |
578 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17445 |
577 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 17420 |
576 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17333 |
575 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17191 |
574 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 | 17087 |
573 | Light flower bulb | 17079 |
572 | PSM을 이용한 Radical측정 방법 | 17073 |
571 | RF에 대하여,, | 17042 |
570 | 형광등으로 부터 플라즈마의 이해 | 17001 |
저는 증착 경험이 많지 않습니다. 아마도 국립철도대학의 김성룡교수님, 고려대학의 홍문표 교수님, 군산대학교의 주정훈교수님께 여쭤보시면 좋은 해석을 얻지 않을까 합니다. 답변을 얻게 되면 제게도 알려 주십시오.