Others 연면거리에 대해 궁금합니다.
2020.10.13 15:31
안녕하세요. 교수님
저는 하단에 13.56Mhz RF Bias 와 상부의 MW를 통한 2중 Plasma 생성 구조를 가진 Etcher 장비 챔버를 연구하고있습니다.
현 질문의 배경에는 단순하게 척을 감싸는 세라믹의 두께를 증가시켰더니 아킹발생 정도가 줄어든 것인데요.
저는 이걸 연면거리와 관계있다고 생각하는데 몇일 째 확실한 답안을 도출 못해 도움을 요청드립니다.
구글링해본 결과로는 연면거리의 parameter는 가동 전압, 오염도, 격리 유형, 절연물질 저항 등등 다양한 요소가 있는 것 같습니다.
그런데 조절한 값은 세라믹 두께이니 절연물질의 저항? 이 올라간거라고 생각합니다.
근데 이거에 대한 관련 식을 찾아볼 수 도 없었고, 영향력을 수치로써 표현하기가 너무 어렵습니다. 그리고 실제 세라믹 두께 증가로 인한 연면거리 증가가 아킹발생 정도 저하에 실제로 영향을 끼쳤을 지도 확신이 서질 않습니다.
두께값등 구체적인 수치를 나열하기는 양도 많아지고 하여 적지는 않겠지만 교수님이 가지고 계신 개인적인 경험 이야기가 궁금합니다..
답변주시길 기다리고 있겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
204 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
203 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 982 |
202 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 971 |
201 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 964 |
200 | Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] | 964 |
199 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 959 |
198 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 959 |
197 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 952 |
196 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 951 |
195 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 950 |
194 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 949 |
193 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 948 |
192 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 940 |
191 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 934 |
190 | Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] | 923 |
189 | 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] | 911 |
188 | Plasma Generator 관련해서요. [1] | 905 |
187 | O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] | 878 |
186 | Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] | 862 |
185 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 860 |