안녕하세요. 

 

플라즈마 클리닝 설비를 다루고 있는 엔지니어입니다.

먼저, 전번에 로딩수에 따른 플라즈마 효과에 대해 질문을 드렸었는데

교수님께서 직접 답변 남겨주셔서 진심으로 감사드립니다.

 

금번에 고객으로부터 연속 Plasma에 관한 문의를 받았습니다.

문의 내용은 연속 플라즈마시 디스컬러나 표면 조성 변화, 등의 문제들이 예상되고 

이에 횟수를 제한해야할 수도 있는데 이 경우 어떠한 기준으로 판단해야 하냐는 것입니다.

 

설비는 CCP구조의 RIE 방식인 Plasma Cleaning 장비이며 Ar과 O2를 같이 사용하고 있습니다.

그리고 Sample은 PCB기판위에 Metal, Si Chip, SR (Solder Resist)이 노출되어 있습니다.

 

※ Sample 이미지

 

Sample.png

고객은 플라즈마 공정을 여러번 반복할시 아무래도 여러 문제들이 있지않을까 우려하고 있으며

횟수를 제한해야 한다면 어떠한 판단 기준을 갖고 해야할지 미리 가이드라인을 짜고 싶어하는거 같습니다.

 

Metal, Si Chip, SR (Solder Resist) 과 같이 다른 물질이 노출되어 있다보니 연속 플라즈마시 예상되는 문제도 다를것이며

문제가 없는 연속 플라즈마 공정을 찾기 위해서는 그 판단 기준도 다를 것이라 예상합니다.

 

플라즈마 전문가분들께 조언을 얻어 해결을 넘어 플라즈마에 대한 배움의 기회로 삼고 싶습니다.

그럼 답변 부탁드리겠습니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
144 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
143 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
142 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
141 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 677
140 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 676
139 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 671
138 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 669
137 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 668
136 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
135 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 650
134 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 650
133 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 650
132 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 649
131 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 638
130 Polymer Temp Etch [1] 635
129 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
128 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 628
127 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
126 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
125 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601

Boards


XE Login