Process 타겟 임피던스 값과 균일도 문제

2021.02.18 00:14

일등급우유플러스 조회 수:375

안녕하세요.

 

반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.

 

 

타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라

플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요

 

답변 부탁드리겠습니다.

감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [235] 75776
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19464
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 56675
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68045
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 90347
58 VPS 공정에서 압력변수관련 질문입니다. [1] 405
57 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 404
56 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [1] 396
55 스퍼터링 Dep. 두께 감소 관련 문의사항 [1] 392
54 plasma striation 관련 문의 [1] file 389
53 안녕하세요. 자문을 구할 수 있을지 궁금합니다. [1] file 383
» 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 375
51 염소발생 전기분해 시 스파크 발생에 관해 질문드립니다. [1] file 374
50 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 371
49 입자에너지에따른 궤도전자와 핵의 에너지loss rate file 363
48 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 358
47 plasma modeling 관련 질문 [1] 355
46 Arcing 과 Self-DC Bias Voltage 상관 관계 [1] 350
45 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 340
44 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 329
43 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 316
42 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 311
41 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 296
40 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 293
39 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 286
쓰기
태그

Boards

XE Login