안녕하세요 저는 반도체 제조업체에 얼마전에 신입으로 들어와 Dry Etching 설비를 당담하고 있습니다.
아직 모르는것이 많아 어디에 물어봐야할지 몰라 이렇게 글 남깄니다.
다름이 아니라 최근 설비에 Arcing 으로인한 제품 Damage 및 Chamber 내부에 아노다이징 처리된 Part 가 절연막이 파괴되고있는데 Acring 이 생기는 원인은 정확하게 모겠네요...
1.Chamber 내부 Cathode 와 Wall 사이에 저항치가 나오면 안돼는 것으로 알고 있는데 3메가옴 또는 다른 Chamber 는 200메가옴 정도 나오는것도 있고 Arcing 이 발생되지 않은 Chamber 에서도 나오고 있어 정확히 Cathode 와 Wall 사이에 저항이 얼마가 나오면 정상인가요??
2. Chamber 내부 Process Kit 에 DC-Pulg 라고 석연으로 만든 Part 가 Acr 방지용으로 넣었다는데 정확한 용도와 원리 좀 부탁합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
779 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144260 |
778 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134434 |
777 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95472 |
776 | Plasma source type | 79618 |
775 | Silent Discharge | 64555 |
774 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54781 |
773 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47763 |
772 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43678 |
771 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41192 |
770 | 대기압 플라즈마 | 40676 |
769 | Ground에 대하여 | 39313 |
768 | RF frequency와 RF power 구분 | 39046 |
767 | Self Bias | 36376 |
766 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35823 |
765 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34920 |
764 | PEALD관련 질문 [1] | 32597 |