Sheath 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의
2017.05.17 14:41
안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로
두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.
첫째는
O2만 넣고 플라즈마 했을 때 / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때
대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)
그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고
RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해
측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은
기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.
둘째는
플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.
관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.
-플라즈마종사자 드림-
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76542 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20078 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57116 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68615 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91697 |
779 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 144269 |
778 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134434 |
777 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 95476 |
776 | Plasma source type | 79618 |
775 | Silent Discharge | 64555 |
774 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 54786 |
773 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47764 |
772 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43678 |
771 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41192 |
770 | 대기압 플라즈마 | 40676 |
769 | Ground에 대하여 | 39313 |
768 | RF frequency와 RF power 구분 | 39046 |
767 | Self Bias | 36376 |
766 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35826 |
765 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34920 |
764 | PEALD관련 질문 [1] | 32602 |