Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power]
2011.12.07 17:12
안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.
궁금점에 대해 여쭈어 봅니다
일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.
PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.
일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.
Forword Power [%]
Reflect Power [W]
Bias(Vpp) Power
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] | 73076 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17641 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 55521 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 65727 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 86104 |
| 687 | ICP 플라즈마에 관해서 [2] | 31125 |
| 686 | DC Bias Vs Self bias [5] | 30867 |
| 685 |
[re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다.
 | 29382 |
| 684 | matching box에 관한 질문 [1] | 29363 |
| 683 | 물질내에서 전하의 이동시간 | 29323 |
| 682 | PECVD에서 플라즈마 damage가 발생 조건 | 29291 |
| 681 | 플라즈마 밀도 | 29215 |
| 680 | 플라즈마의 정의 | 29062 |
| 679 | RF에 대하여... | 28838 |
| 678 | 플라즈마를 이용한 오존 발생장치 | 28572 |
| 677 | 반도체 관련 질문입니다. | 28499 |
| » | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 28482 |
| 675 | esc란? | 27767 |
| 674 | Arcing [1] | 27719 |
| 673 | 플라즈마와 자기장의 관계 | 27553 |
| 672 | 탐침법 | 27328 |
| 671 | 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 | 27209 |
| 670 | DBD란 | 27103 |
| 669 | sheath와 debye shielding에 관하여 | 27066 |
| 668 | 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] | 26925 |