Sheath self bias

2004.06.19 16:59

관리자 조회 수:19469 추천:265

self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도  Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76714
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20170
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57164
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92273
268 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1323
267 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1319
266 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1318
265 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1307
264 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1293
263 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1286
262 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1283
261 플라즈마 기초입니다 [1] 1281
260 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1272
259 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1270
258 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1242
257 플라즈마 챔버 [2] 1241
256 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1239
255 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1236
254 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
253 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1222
252 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1220
251 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1191
250 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183
249 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177

Boards


XE Login