안녕하세요. 반도체 관련 엔지니어입니다.

N2, Ar Plasma 를 사용하여 미세 Pattern Pad 표면 세정을 하려고 합니다.

세정물 오염원은 C, Si 등을 포함한 성분인데요.

N2 와 Ar 중 어떤게 더 효과적일지 궁금합니다. ( 사용 원소에 따른 플라즈마 처리 세기의 차이가 있을거 같은데.. )

자료를 찾다보니 아래와 같이 기술된 것도 있던데 맞나요??

- 사용 기체로 산소 및 질소를 사용하였을 경우 아르곤을 사용한 플라즈마 처리 시 보다 에칭 효과 우수

- 산소 사용 시 질소 사용보다 표면 에칭 효과 우수

※ 표면 에칭: 아르곤 < 질소 < 산소

감사합니다.