Sputtering [Sputter Forward,Reflect Power]
2011.12.07 17:12
안녕하세요 Sputter 담당을 맡고 있는 직원입니다.
궁금점에 대해 여쭈어 봅니다
일반 Sputter 장비에는 모두 아래의 공정 parameter들의 data가 남는데 아래 항목의 의미가 무엇인지 궁금합니다.
PM이나 Chamber 분위기가 바뀌면 아래의특성들이 변하는것을 확인했습니다.
일반적으로 Bias(Vpp) Power [V]는 강할수록 Target에 때리는 전자의 가속력이 빨라져 Depo률이 증가하는것을 알수 있습니다.
Forword Power [%]
Reflect Power [W]
Bias(Vpp) Power
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [233] | 75736 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19419 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56648 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67966 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90148 |
» | [Sputter Forward,Reflect Power] [1] | 29000 |
20 | 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. | 24725 |
19 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21874 |
18 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20845 |
17 | Sputter 시에 Gas Reaction 에 대해 문의 드립니다. | 20157 |
16 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19686 |
15 | 물리적인 sputterting | 18326 |
14 | sputtering | 18255 |
13 | Splash 발생 및 감소 방안은 없는지요? | 17980 |
12 | 스퍼터링 후 시편표면에 전류가 흘렀던 흔적 | 17498 |
11 | sputter | 16808 |
10 | 몇가지 질문있습니다 | 16562 |
9 | Sputter | 15808 |
8 | Ar fraction에 따른 Plasma 특성 질문입니다. [1] | 15744 |
7 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10195 |
6 | DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] | 3634 |
5 | sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] | 2219 |
4 | Ar plasma power/time [1] | 1374 |
3 | 부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [1] | 1257 |
2 |
RF Sputtering Target Issue
[2] ![]() | 466 |