Remote Plasma PECVD 매칭시 Reflect Power 증가
2008.08.12 15:39
안녕하세요. 저는 연구실에서 마이크로웨이브 플라즈마 장치를 갖고 실험하고 있는 학생입니다.
플라즈마가 기판으로 도달되지 않아 플라즈마를 기판으로 내리기 위해 tunner를 조절하여 어느정도
내렸습니다. 그런데 forward power가 증가함에 따라 Reflect power도 상당히 큰 값으로 증가했습니다. 매칭이 잘못된거 같은데 아무리 tunner를 크게 또는 작게 해도 소용이 없었습니다.
혹시 다른 매칭방법은 없나요? 재료공학과 학생이라 플라즈마에 대한 지식이 많이 부족합니다.
알기쉽게 설명해주시면 감사하겠습니다.^^
댓글 2
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [218] | 75408 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19148 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56477 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67540 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89320 |
744 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. | 143351 |
743 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134328 |
742 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 | 94463 |
741 | Plasma source type | 78752 |
740 | Silent Discharge | 64512 |
739 | VPP, VDC 어떤 FACTOR 인지 알고 싶습니다. [1] | 53989 |
738 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [1] | 47314 |
737 | 플라즈마내에서의 아킹 | 43562 |
736 |
반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다.
![]() | 40896 |
735 | 대기압 플라즈마 | 40360 |
734 | RF frequency와 RF power 구분 | 38923 |
733 | Ground에 대하여 | 38753 |
732 | Self Bias | 36279 |
731 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) | 35403 |
730 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [2] | 34783 |
729 | PEALD관련 질문 [1] | 32059 |