CCP PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단]
2021.06.21 15:35
안녕하세요. PECVD 방식을 사용하는 반도체 장비 회사에 다니는 엔지니어입니다.
항상 많이 배우고 있습니다 .감사합니다.
이번에 여쭙고 싶은것은 PECVD가 어느 순간 RIE가 되는지 입니다.
말씀드렸다시피 저희 회사는 PECVD를 쓰고있고, 이는 양 전극의 크기가 동일하며 두 전극의 간극(Gap)이 작아서 Wall의 영향을 받지 않기 때문에 DC bias는 영향이 거의 없고 따라서 Ion bombardment는 일어나지 않고 라디컬에 의한 화학 반응이 주를 이루게 된다고 알고 있습니다.
그렇다는 것은 두 전극의 크기가 동일하더라도 Gap을 늘리면 DC bias 효과를 낼 수 있다는 말인 것 같은데,
Gap을 어느정도로 확보해야 PECVD가 아닌 RIE로 부를 수 있는 걸까요?
현재는 10mm이하로 Gap을 사용하고 있습니다.
혹시 안된다면 이유는 무엇이고 전극의 크기가 같은 CCP 구조에서 Ion Bombardment를 일으킬 수 있는 방법이 있는지 궁금합니다.
감사합니다!!!
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [312] | 79201 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21245 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58052 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69609 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94394 |
819 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146365 |
818 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134506 |
817 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96667 |
816 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79844 |
815 | Silent Discharge | 64589 |
814 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55283 |
813 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48212 |
812 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43792 |
811 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41410 |
810 | 대기압 플라즈마 | 40765 |
809 | Ground에 대하여 | 39688 |
808 | RF frequency와 RF power 구분 | 39196 |
807 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36442 |
806 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36140 |
805 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35070 |
804 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32737 |