Others Microwave 장비 관련 질문 [RF Plasma의 주파수에 따른 파장의 길이]
2013.08.20 16:19
안녕하세요 현재 반도체 관련 회사에 재직중인 직장인 입니다.
현재 저희 회사에서 Microwave 장비(Generator, RPS)에 관련 하여 시장 및 현 상황에 대한 조사를 하고 있습니다.
반도체 공정 (CVD,Etch,LCD) 쪽으로의 어느정도의 수요는 확인 되었지만 Microwave 를 사용한 Plasma 발생 하는 장비의 수가 (RF대비) 상대적으로 적은것으로 조사가 되었습니다.
제 짧은 지식으로는 공정의 Concept 가 중요하겠지만, Impedance matching 문제, 도파관 사용에 의한 설치문제, 그리고 2.45Ghz 라는 주파수의 Radical 적인 문제로 사용하는 수가 적은것으로 생각됩니다.
제 짧은 생각이 맞는지 궁금합니다. 그리고 반도체 공정 뿐만 아닌 다른 분야에서도 현재 사용되는 곳이 있는지 궁금합니다.
황당한 질문일수도 있겠지만 답변 부탁드립니다^^
감사합니다.
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RF 플라즈마를 이해할 때 가장 먼저 고려하는 것은 주파수에 따른 파장의 길이 변화입니다. 주파수가 크면 rf 전력의 plasma coupling 효과가 좋아지므로 고주파를 사용하게 됩니다. 현실적으로 사용하는 RF 소스 중에 마이크로 웨이브, 특히 2.45GHz는 가장 높은 주파수에 해당합니다. 이 조건에서 파장의 크기는 약 12cm 정도로써 가열 효과는 좋으나 넓은 면적으로 처리하는 장치를 만들기는 어려운 조건이 됩니다. 따라서 생성되는 플라즈마를 넓게 퍼트리는 기술을 같이 개발하는 연구가 장치 개발과 관련해서 진행되고 있습니다. 또하나의 특징은 power coupling이 좋으므로 공정가스의 해리율이 매우 높은 소스에 해당됩니다. 하지만 이는 특정 공정에서 득이되거나 해가 될 수 있어서 오히려 조절 윈도우가 좁아지는 문제를 야기하곤 합니다. 이는 기본적으로 이 소스가 갖게 되는 특징이니 참고하여 장치를 수배하시면 좋을 것 같습니다.