Monitoring Method Plasma 발생영역에 관한 질문 [Plasma sheath의 형성과정]
2018.10.16 16:20
Etch stop control 장치인 EPD ( End Point Detector)를 공부하고있는 최상봉입니다.
플라즈마가 형성되는 영역과 Sheath 영역으로 구분되는데, Sheath영역에는 전자만 존재한다고 들었습니다.
플라즈마 영역에서의 레디칼과 바이 Product을 OES로 모니터한다는데
질문1] Sheath 영역에서는 Etch 상태를 어떻게 모니터링 할 수 있을까요?
질문2] 온도측정 시 Sheath 영역과 플라즈마 영역의 온도가 다른가요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] | 79230 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21259 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58060 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69617 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94402 |
819 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146390 |
818 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134507 |
817 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96681 |
816 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79851 |
815 | Silent Discharge | 64589 |
814 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55288 |
813 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48215 |
812 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43794 |
811 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41412 |
810 | 대기압 플라즈마 | 40765 |
809 | Ground에 대하여 | 39697 |
808 | RF frequency와 RF power 구분 | 39198 |
807 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36442 |
806 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36141 |
805 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35070 |
804 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32737 |
먼저 sheath 의 형성 과정을 이해하면 대부분 해결이 될 것입니다. 쉬스에 대해서는 본 게시판에서 상세하게 여러번 다뤘으니 참고하십시오. 아울러 모티터링에 대해서는 정의가 필요합니다. 아울러 monitoring 과 diagnostics 의 차이를 생각해 보시고, 모두 진단으로 해석이 가능해서 혼선이 있을 수 있으나, 진단계 (장치)와 진단대상의 물성이 잘 결합되어야 해석이 용이합니다. 따라서 플라즈마 쉬스를 잘 이해하는 것이 모니터링의 첫 단추를 끼우는 일이 되겠습니다. 그 후에 다음 문제를 고려해야 풀릴 것 같습니다. 현재 저희는 여러가지 방법으로 쉬스 특성을 모니터링하고는 있습니다만, 아직 현장에 투입한 경험은 없군요. 이 분야를 플라즈마 공정진단 이라 합니다.