Sputtering RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다.
2024.07.15 13:49
안녕하세요, RF sputter 장비를 담당하고 있는 학생입니다.
RF reactive sputtering으로 Ar+N2 분위기에서 박막 증착을 하는 공정을 맡고 있는데요,
메인 챔버를 오픈한 뒤로 청소를 해주었는데도 reflect power가 튀는 현상이 발생해서 더이상 파워를 올리지 못하는 상황입니다.
RF power controller 매칭값을 확인해도 정상 범위에 있고
압력을 20mTorr까지 올린 상태로 파워를 점점 높여가며 진행해도 현상이 나아지지 않는데,
이런 현상이 발생하는 이유와 해결 방법을 여쭙고 싶습니다.
혹시 실험하시면서의 경험이나 이론적인 부분에 대해 알고계신 것을 조언해주시면 감사하겠습니다.
감사합니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] | 79237 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 21259 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 58061 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69618 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 94402 |
819 | SCCM 단위에 대하여 궁금합니다. [Flow rate] | 146391 |
818 | DC 글로우 방전 원의 원리 좀 갈켜주세여.. | 134507 |
817 | RF 플라즈마와 Microwave 플라즈마의 차이 [해리와 세정 활성종] | 96681 |
816 | Plasma source type [CCP, ICP, TCP] | 79851 |
815 | Silent Discharge | 64589 |
814 | VPP,VDC 어떤 FACTOR인지 알고 싶습니다. [Vpp, Vdc와 플라즈마 발생 원리] [1] | 55288 |
813 | 안녕하세요. RF Matching에 관한 질문입니다. [Matching과 L-type] [1] | 48215 |
812 | 플라즈마내에서의 아킹 [Charge와 plasma potential] | 43794 |
811 | 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. | 41412 |
810 | 대기압 플라즈마 | 40765 |
809 | Ground에 대하여 | 39697 |
808 | RF frequency와 RF power 구분 | 39198 |
807 | Self Bias [Self bias와 플라즈마 특성 인자] | 36442 |
806 | Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) [Matching Q factor와 negative ion] | 36141 |
805 | ECR plasma 장비관련 질문입니다. [ECR과 enhanced process] [2] | 35070 |
804 | PEALD관련 질문 [Passivation 막 증착 과정] [1] | 32737 |